Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Henni, Y."'
Autor:
Henni, Y., Collado, H. P. Ojeda, Nogajewski, K., Molas, M. R., Usaj, G., Balseiro, C. A., Orlita, M., Potemski, M., Faugeras, C.
Publikováno v:
NanoLett. 16 3710 (2016)
Graphene layers are known to stack in two stable configurations, namely ABA or ABC stacking, with drastically distinct electronic properties. Unlike the ABA stacking, little has been done to experimentally investigate the electronic properties of ABC
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1603.03611
Autor:
Faugeras, C., Berciaud, S., Leszczynski, P., Henni, Y., Nogajewski, K., Orlita, M., Taniguchi, T., Watanabe, K., Forsythe, C., Kim, P., Jalil, R., Geim, A. K., Basko, D. M., Potemski, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 114, 126804 (2015)
We present magneto-Raman scattering studies of electronic inter Landau level excitations in quasi-neutral graphene samples with different strengths of Coulomb interaction. The band velocity associated with these excitations is found to depend on the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1412.0115
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.