Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Hendriks, H. T."'
1
Akademický článek
Carbon doping and lattice contraction of GaAs films grown by conventional molecular beam epitaxy.
Autor: Hoke, W. E., Lemonias, P. J., Weir, D. G., Hendriks, H. T., Jackson, G. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/1991, Vol. 69 Issue 1, p511, 3p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
High performance double pulse doped pseudomorphic AlGaAs/InGaAs transistors grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Hoke, W. E., Lyman, P. S., Labossier, W. H., Brierley, S. K., Hendriks, H. T., Shanfield, S. R., Aucoin, L. M., Kazior, T. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 3, p1066-1069, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
In1-xAlxP/InAlAs/InGaAs and InAlAs/InAs0.3P0.7 high-electron mobility transistor structures grown by solid source molecular beam epitaxy.
Autor: Hoke, W. E., Lemonias, P. J., Weir, D. G., Hendriks, H. T., Chou, L.-J., Hsieh, K. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1996, Vol. 14 Issue 3, p2233-2235, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Initial results for InGaAs films grown on InGaAs substrates.
Autor: Hoke, W. E., Lyman, P. S., Carter, J. R., Hendriks, H. T., Bonner, W. A., Lent, B.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1995, Vol. 13 Issue 2, p678-680, 3p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Solid source molecular-beam epitaxial growth of Ga0.5In0.5P using a valved, three-zone phosphorus source.
Autor: Hoke, W. E., Weir, D. G., Lemonias, P. J., Hendriks, H. T., Jackson, G. S., Colombo, P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1995, Vol. 13 Issue 2, p733-735, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Carbon p+ doping of molecular-beam epitaxial GaAs films using carbon tetrabromide.
Autor: Lemonias, P. J., Hoke, W. E., Weir, D. G., Hendriks, H. T.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 2, p1190-1192, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Molecular-beam epitaxial growth of boron-doped GaAs films.
Autor: Hoke, W. E., Lemonias, P. J., Weir, D. G., Hendriks, H. T.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 3, p902-904, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Molecular-beam epitaxial growth and characterization of inverted, pulse-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs transistor structures.
Autor: Hoke, W. E., Lyman, P. S., Brierley, S. K., Hendriks, H. T., Pan, N., Carter, J. R.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1993, Vol. 11 Issue 3, p962-964, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Molecular-beam epitaxial growth of heavily acceptor doped GaAs layers for GaAlAs/GaAs heterojunction bipolar transistors.
Autor: Hoke, W. E., Lemonias, P. J., Weir, D. G., Brierley, S. K., Hendriks, H. T., Adlerstein, M. G., Zaitlin, M. P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 2, p856-858, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Molecular-beam epitaxial growth of high quality, double channel AlGaAs/InGaAs pulse-doped pseudomorphic high electron mobility transistors.
Autor: Hoke, W. E., Lyman, P. S., Labossier, W. H., Hendriks, H. T., Shanfield, S., Aucoin, L., Pan, N., Carter, J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 2, p1026-1028, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje