Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Investigation of new chalcogenide materials to improve the PCM performance

Autor: Sousa, V., Perniola, L., Navarro, G., Pashkov, N., Suri, M., Henaff, E., Persico, A., Fillot, F., Pierre, F., Roule, A., Maitrejean, S., Michallon, P., Vallée, Corentin, Feldis, H., Jahan, C., Nodin, J.F., Toffoli, A., Blachier, D., Bastard, A., Bastien, J.C., Hyot, B., André, B., Reimbold, G., Zuliani, P., Annunziata, R., de Salvo, B.

Publikováno v: 2011 SIMIT, 11th Non-volatile memory technology symposium
2011 SIMIT, 11th Non-volatile memory technology symposium, Nov 2011, Shangai, China

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9be9614255cbd9c70643304f723f7e85
https://hal.science/hal-00669545

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase-change memory devices featuring reduced RESET current and power consumption.

Autor: Hubert, Q., Jahan, C., Toffoli, A., Navarro, G., Chandrashekar, S., Noe, P., Sousa, V., Perniola, L., Nodin, J.-F., Persico, A., Maitrejean, S., Roule, A., Henaff, E., Tessaire, M., Zuliani, P., Annunziata, R., Reimbold, G., Pananakakis, G., De Salvo, B.

Publikováno v: 2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC); 1/ 1/2012, p286-289, 4p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.