Monitoring the Joule heating profile of GaN/SiC high electron mobility transistors via cross-sectional thermal imaging.

Autor: Pavlidis, G., Hilton, A. M., Brown, J. L., Heller, E. R., Graham, S.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/21/2020, Vol. 128 Issue 7, p1-8, 8p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

High-quality InAsyP1-y step-graded buffer by molecular-beam epitaxy

Autor: Hudait, M K, Lin, Y, Wilt, D M, Speck, J S, Tivarus, C A, Heller, E R, Pelz, J P, Ringel, S A

Publikováno v: Hudait, M K; Lin, Y; Wilt, D M; Speck, J S; Tivarus, C A; Heller, E R; et al.(2003). High-quality InAsyP1-y step-graded buffer by molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, 82(19), 3212-3214. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/6327m3jq

Relaxed, high-quality, compositionally step-graded InAsyP1-y layers with an As composition of y=0.4, corresponding to a lattice mismatch of similar to1.3% were grown on InP substrates using solid-source molecular-beam epitaxy. Each layer was found to

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::3795a8a7bf3f9a2c88efc42541bc9db1
http://www.escholarship.org/uc/item/6327m3jq