Zobrazeno 1 - 10
of 143
pro vyhledávání: '"Hekmatshoar, B."'
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2003 427(1):330-334
Autor:
Mohan, A., Poulios, I., Schropp, R.E.I., Rath, J.K., Hekmatshoar, B., Horwat, D., Sankaran, M.
Publikováno v:
Material Research Society (MRS) Proceedings
Silicon nanoparticles are synthesized by very high frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (vhf-PECVD) in the gas phase. Pulsed plasmas are used to obtain particles with a narrow size distribution. The role of plasma OFF times is studied
Autor:
Gatz, H.A., Kuang, Y., Verheijen, M.A., Rath, J.K., Kessels, W.M.M., Schropp, R.E.I., Hekmatshoar, B., Collins, R.
Publikováno v:
Material Research Society (MRS) Proceedings
Silicon heterojunction solar cells (SHJ) with thin intrinsic layers are well known for their high efficiencies. A promising way to further enhance their excellent characteristics is to enable more light to enter the crystalline silicon (c-Si) absorbe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b2e0a86f6c4156814446edc68ec8501
https://research.tue.nl/nl/publications/0d069700-5b2c-4664-a94a-6b289b1c5590
https://research.tue.nl/nl/publications/0d069700-5b2c-4664-a94a-6b289b1c5590
28th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 1825-1827
Indium-tin-oxide (ITO) films of 80 nm were deposited on a-Si:H/c-Si structures by r.f. sputtering at room temperature. The underlying thin a-Si:H film was first deposit
Indium-tin-oxide (ITO) films of 80 nm were deposited on a-Si:H/c-Si structures by r.f. sputtering at room temperature. The underlying thin a-Si:H film was first deposit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd337b8b3ecc41fffffb6517e8b7e0a6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shahrjerdi, D., Bedell, S. W., Ebert, C., Bayram, C., Hekmatshoar, B., Fogel, K., Lauro, P., Gaynes, M., Ott, J. A., Gokmen, T., Sadana, D. K.
Publikováno v:
2012 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference; 1/ 1/2012, p000974-000977, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sturm, J.C., Huang, Y., Han, L., Liu, T., Hekmatshoar, B., Cherenack, K., Lausecker, E., Wagner, S.
Publikováno v:
2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS); 2011, p1-4, 4p
Amorphous silicon thin-film transistors with DC saturation current half-life of more than 100 years.
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting; 2008, p1-4, 4p
Autor:
Hekmatshoar, B., Shahrjerdi, D., Mohajerzadeh, S., Khakifirooz, A., Robertson, M., Asl Soliemani, E.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2004, Vol. 814 Issue 1, p249-253, 5p