Výsledky vyhledávání - "Heinig, K.H."

Akademický článek

Oxidation of Ge implanted into SiO 2 layers: Modeling and XPS

Autor: Borodin, V.A ^*, Heinig, K.H, Schmidt, B, Oswald, S

Publikováno v: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2001 178(1):115-119

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Ion irradiation of gold inclusions in SiO 2: Experimental evidence for inverse Ostwald ripening

Autor: Rizza, G.C. ^*, Strobel, M., Heinig, K.H., Bernas, H.

Publikováno v: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2001 178(1):78-83

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Manipulation of two-dimensional arrays of Si nanocrystals embedded in thin SiO2 layers by low energy ion implantation.

Autor: Bonafos, C., Carrada, M., Cherkashin, N., Coffin, H., Chassaing, D., Ben Assayag, G., Claverie, A., Müler, T., Heinig, K.H., Perego, M., Fanciulli, M., Dimitrakis, P., Normand, P.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/2004, Vol. 95 Issue 10, p5696-5702, 7p, 6 Black and White Photographs, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Stress measurements of germanium nanocrystals embedded in silicon oxide.

Autor: Wellner, A., Paillard, V., Bonafos, C., Coffin, H., Claverie, A., Schmidt, B., Heinig, K.H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/2003, Vol. 94 Issue 9, p5639, 4p, 2 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Interfaces under ion irradiation: growth and taming of nanostructures.

Autor: Heinig, K.H., Müller, T., Schmidt, B., Strobel, M., Möller, W.

Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing. 2003, Vol. 77 Issue 1, p17. 9p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Microstructural investigation of Sn nanoclusters in double-energy implanted and annealed SiO2 layers with cross-sectional TEM

Autor: Markwitz, A. ^*, Grötzschel, R., Heinig, K.H., Rebohle, L., Skorupa, W.

Publikováno v: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B May 1999 152(2-3):319-324

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Precipitation, ripening and chemical effects during annealing of Ge + implanted SiO 2 layers

Autor: Heinig, K.H, Schmidt, B ^*, Markwitz, A, Grötzschel, R, Strobel, M, Oswald, S

Publikováno v: In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1999 148(1):969-974

Zobrazit plný text záznamu

Publisher's Note: ''Sponge-like Si-SiO2 nanocomposite-Morphology studies of spinodally decomposed silicon-rich oxide'' [Appl. Phys. Lett. 103, 131911 (2013)]

Autor: Friedrich, D., Schmidt, B., Heinig, K.H., Liedke, B., Mücklich, A., Hübner, R., Wolf, D., Kölling, S., Mikolajick, T.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::274b8b9a89c67c7eef5a179622a42987
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/248124

Zobrazit plný text záznamu

Sponge-like Si-SiO2 nanocomposite – morphology studies of spinodally decomposed silicon-rich oxide

Autor: Friedrich, D., Schmidt, B., Heinig, K.H., Liedke, B., Mücklich, A., Hübner, R., Wolf, D., Kölling, S., Mikolajick, T.

Publikováno v: Applied Physics Letters 103(2013)13, 131911

Sponge-like Si nanostructures embedded in SiO2 were fabricated by spinodal decomposition of sputter-deposited silicon-rich oxide with a stoichiometry close to that of silicon monoxide. After thermal treatment a mean feature size of about 3 nm was fou

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::08d9bb0c7746351344854ef03c97f47c
https://www.hzdr.de/publications/Publ-18945-1

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání