Zobrazeno 1 - 10
of 555
pro vyhledávání: '"Heinig, K. H."'
Autor:
Pourteau, M.-L., Gharbi, A., Brianceau, P., Dallery, J.-A., Laulagnet, F., Rademaker, G., Tiron, R., Engelmann, H.-J., von Borany, J., Heinig, K.-H., Rommel, M., Baier, L.
Publikováno v:
In Micro and Nano Engineering November 2020 9
Autor:
Müller, T., Bonafos, C., Heinig, K. -H., Tencé, M., Coffin, H., Cherkashin, N., Assayag, G. Ben, Schamm, S., Zanchi, G., Colliex, C., Möller, W., Claverie, A.
Scalability and performance of current flash memories can be improved substantially by replacing the floating poly-Si gate by a layer of Si dots. This multi-dot layer can be fabricated CMOS-compatibly in very thin gate oxide by ion beam synthesis (IB
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0407329
Nanocrystal Formation in Si Implanted Thin SiO2 Layers under the Influence of an Absorbing Interface
Kinetic 3D lattice Monte Carlo studies are presented on Si nanocrystal (NC) formation by phase separation in 1 keV Si implanted thin SiO2 films. The simulation start from Si depth profiles calculated using the dynamic, high-fluence binary collision c
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0212285
Autor:
Bernas, H., Halley, D., Heinig, K. -H., Attane, J. -Ph., Ravelosona, D., Marty, A., Auric, P., Chappert, C., Samson, Y.
Combining He ion irradiation and thermal mobility below 600K, we both trigger and control the transformation from chemical disorder to order in thin films of an intermetallic ferromagnet (FePd). Kinetic Monte Carlo simulations show how the initial di
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0209612
Publikováno v:
Materials Science and Engineering C 19 (2002) 209-213
The fabrication of more and more miniaturized electronic and photonic devices relies on new, ingenious methods for the fabrication of spatially controlled nanostructures. Examples are electronic devices based on semiconducting nanowires and photonic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0108371
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 March 2017 394:6-11
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 2012 272:198-201
Autor:
Heinig, K.-H., Borany, J., Engelmann, H.-J., Hlawacek, G., Hübner, R., Klüpfel, F., Möller, W., Pourteau, M.-L., Rademaker, G., Rommel, M., Baier, L., Pichler, P., Tiron, R.
Publikováno v:
EMRS 2022 Fall Meeting, 19.-22.09.2022, Warsaw, Poland
Low-power logic and memory circuits remain a main task for the next generations of energy-efficient electronic devices. Single Electron Transistors (SETs) are extremely low energy dissipation devices. However, SETs operate usually at cryogenic temper
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::6d97847ff8f540e6a76cd3ce7e6134b3
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36467-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-36467-1