Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"Heinig, Andreas"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal; February 2024, Vol. 24 Issue: 3 p3748-3755, 8p
Autor:
Binder, Maximilian, Stapff, Veronika Andrea, Heinig, Andreas, Schmitt, Matthias, Seidel, Christian, Reinhart, G.
Publikováno v:
Procedia CIRP. 107:505-510
The combination of functions in a single component, efficient use of limited space, comprehensive acquisition of process and sensor data and development of passive, wireless monitoring systems are all at the focus of current research. Additive manufa
Autor:
Weder, Andreas, Geller, Sirko, Heinig, Andreas, Tyczynski, Thomas, Hufenbach, Werner, Fischer, Wolf-Joachim
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: A. Physical 1 November 2013 202:106-110
Publikováno v:
IS international Workshop 2010, Chemnitz
Electrical impedance of biological matter is known as electrical bio-impedance or simply as bio-impedance. Bio-impedance devices are of great value for monitoring the pathological and physiological status of biological tissues in clinical and home en
Autor:
Rotsch, Christian, Gille, Katarina, Hunger, Sandra, Heinig, Andreas, Grätz, Hagen, Schulze, Christian, Bader, Rainer, Drossel, Welf-Guntram, Ettrichrätz, Martin, Töppel, Thomas
The implantation of total hip endoprostheses is a frequent orthopaedic surgery. Therefore, it is necessary to improve the long-term fixation between bone and total hip implant to reduce the number of revision operations. Due to osteolysis the fixatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2485240f0045fff1e50abe72c4820384
Autor:
Heinig, Andreas
Due to advancements of semiconductor fabrication that lead to shrinking geometries and lowered supply voltages of semiconductor devices, transient fault rates will increase significantly for future semiconductor generations [Int13]. To cope with tran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2abd557cd811ab780aaebbd8eb883d23
http://hdl.handle.net/2003/34098
http://hdl.handle.net/2003/34098