Zobrazeno 1 - 10 of 56 pro vyhledávání: '"Heedt, C."'
2
Conference
Material characterisation of InGaAs/InAlAs heterostructure field effect transistors with heavily doped n-type InAlAs donor layer.
Autor: Heedt, C., Gottwald, P., Prost, W., Tegude, F.J., Kunzel, H., Dickmann, J., Dambkes, H.
Publikováno v: Proceedings 1991 Third International Conference Indium Phosphide & Related Materials; 1991, p284-287, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Conference
Nonlinear effects in the 1/f noise of lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMT's.
Autor: Mihaila, M., Heedt, C., Tegude, F. J.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; May1996, Vol. 371 Issue 1, p127-133, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Conference
Origin of 1/f noise in InAlAs/InGaAs HEMTs.
Autor: Mihaila, M., Heedt, C., Scheffer, F., Tegude, F.J.
Publikováno v: Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials; 1996, p368-371, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Characterization of impact-ionization in InAlAs/InGaAs/InP HEMT structures using a novel photocurrent-measurement technique.
Autor: Heedt, C., Buchali, F., Prost, W., Fritzsche, D., Nickel, H., Tegude, F.J.
Publikováno v: 1993 (5th) International Conference on Indium Phosphide & Related Materials; 1993, p247-250, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Conference
The impact of pseudomorphic AlAs spacer layers on the gate leakage current of InAlAs/InGaAs heterostructure field-effect transistors.
Autor: Auer, U., Reuter, R., Ellrodt, P., Heedt, C., Prost, W., Tegude, F.J.
Publikováno v: Seventh International Conference on Indium Phosphide & Related Materials; 1995, p424-427, 4p
Zobrazit plný text záznamu
7
Conference
InAlAs/InGaAs HFET with extremely high device breakdown using an optimized buffer layer structure.
Autor: Auer, U., Reuter, R., Heedt, C., Kunzel, H., Prost, W., Tegude, F.J.
Publikováno v: Proceedings of 1994 IEEE 6th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM); 1994, p443-446, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Conference
In/sub 0.5/Ga/sub 0.5/P spacer layer for high drain breakdown voltage InGaAs/InAlAs HFET on InP grown by MOVPE.
Autor: Scheffer, F., Lindner, A., Heedt, C., Reuter, R., Liu, Q., Prost, W., Tegude, F.J.
Publikováno v: Proceedings of 1994 IEEE 6th International Conference on Indium Phosphide & Related Materials (IPRM); 1994, p439-442, 4p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Analysis of gate leakage on MOVPE grown InAlAs/InGaAs-HFET.
Autor: Buchali, F., Heedt, C., Prost, W., Gyuro, I., Meschede, H., Tegude, F.J.
Publikováno v: ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference; 1992, p401-404, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Optimization of the AlInAs Growth Temperature for AlInAs/GaInAs HEMTs Grown by MBE.
Autor: Kunzel, H., Passenberg, W., Bottcher, J., Heedt, C.
Publikováno v: ESSDERC '91: 21st European Solid State Device Research Conference; 1991, p569-572, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje