Zobrazeno 1 - 9 of 9 pro vyhledávání: '"Heddleson, J. M."'
1
Conference
SOI Material Properties Determined by Electrical Characterization.
Autor: Rai-Choudhury, P., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Abe, T., Karulkar, P., Pawlik, M.
Publikováno v: ESSDERC '92: 22nd European Solid State Device Research conference; 1992, p827-830, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Effects of dry etching on the electrical properties of silicon.
Autor: Heddleson, J. M., Horn, M. W., Fonash, S. J., Nguyen, D. C.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 1, p280-283, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Accurate profiling of ultra-shallow implants with mercury gate metal-oxide-semiconductor capacitance-voltage.
Autor: Dudal, Roger Le, Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p336-341, 6p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Detection of anomalous defect-enhanced diffusion using advanced spreading resistance measurements and analysis.
Autor: Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G., Osburn, C. M.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p322-326, 5p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Profiling of silicide-silicon structures using a combination of the spreading resistance and point contact current-voltage methods.
Autor: Heddleson, J. M., Weinzierl, S. R., Hillard, R. J., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1994, Vol. 12 Issue 1, p317-321, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Profiling of composition and carrier concentration in AlxGa1-xAs by point contact techniques.
Autor: Chong, T. C., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Rai-Choudhury, P., Moore, W. T., SpringThorpe, A. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 1, p456-462, 7p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Profiling of ultra-shallow complementary metal-oxide semiconductor junctions using spreading resistance: A comparison to secondary ion mass spectrometry.
Autor: Osburn, C. M., Berkowitz, H. L., Heddleson, J. M., Hillard, R. J., Mazur, R. G., Rai-Choudhury, P.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 1, p533-539, 7p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Carrier diffusion effects in III-V semiconductor structures measured by the point contact current voltage technique.
Autor: Eldridge, G. W., Berkowitz, H. L., Hillard, R. J., Heddleson, J. M., Rai-Choudhury, P., Mazur, R. G., Stillman, G. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 1, p463-467, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Permeation of hydrogen into silicon during low-energy hydrogen ion beam bombardment.
Autor: Horn, M. W., Heddleson, J. M., Fonash, S. J.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 8/17/1987, Vol. 51 Issue 7, p490, 3p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje