Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"He Kaiting"'
Autor:
Qiang Wu, Weiming He, He Kaiting, Yi-Shih Lin, Yuntao Jiang, Guogui Deng, Lihong Xiao, Bin Xing, Jingan Hao, Qiang Zhang, Xuelong Shi, Chang Liu
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
In this paper, we present a study on the overlay (OVL) shift issue in contact (CT) layer aligned to poly-silicon (short as poly) layer (prior layer) in an advanced technology node [1, 2]. We have showed the wafer level OVL AEI-ADI shift (AEI: After E
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9d374cc0ba8462d90527884a8322d5d
https://doi.org/10.1117/12.2220013
https://doi.org/10.1117/12.2220013
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sanchez, Martha I., Ukraintsev, Vladimir A., Deng, Guogui, Hao, Jingan, Xiao, Lihong, Xing, Bin, Jiang, Yuntao, He, Kaiting, Zhang, Qiang, He, Weiming, Liu, Chang, Lin, Yi-Shih, Wu, Qiang, Shi, Xuelong
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2016, Vol. 9778 Issue: 1 p97782C-97782C-13, 9680432p