Zobrazeno 1 - 10
of 291
pro vyhledávání: '"Haynes–Shockley experiment"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Science Advances. 4/14/2023, Vol. 9 Issue 15, p1-14. 14p.
Autor:
Butterfield, Andrew J, Szymanski, John
Publikováno v:
A Dictionary of Electronics and Electrical Engineering, 5 ed., 2018, ill.
Externí odkaz:
http://www.oxfordreference.com/view/10.1093/acref/9780198725725.001.0001/acref-9780198725725-e-2083
Autor:
Ian Appelbaum
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 53:1242-1245
Haynes and Shockley’s seminal measurements of minority-carrier transport in semiconductors 60 years ago ushered in a new age of solid-state electronics. However, device scaling issues now compel us to look toward alternative state variables other t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e0f6b950e4833361c8ae6bcb1a68768a
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.012
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.09.012
Publikováno v:
American Journal of Physics. 68:80-87
The Haynes–Shockley experiment allows direct measurements of the drift mobility, of the diffusion coefficient, and of the recombination lifetime of excess carriers in semiconductors. In order to obtain easier and more accurate measurements in a did
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b883ece883fcc08b48782669c9506e86
https://doi.org/10.1119/1.19376
https://doi.org/10.1119/1.19376
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Philip
Publikováno v:
Proceedings of the 15th Biennial University/Government/ Industry Microelectronics Symposium (Cat. No.03CH37488).
The celebrated Haynes-Shockley Experiment was devised in 1951 by J. Haynes and W. Shockley to demonstrate basic carrier transport phenomena. This experiment allows diffusion, drift and recombination to be investigated in a simple yet deeply insightfu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a80bfcd9ea86ac973a62ff6770085ec
https://doi.org/10.1109/ugim.2003.1225756
https://doi.org/10.1109/ugim.2003.1225756
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.