Výsledky vyhledávání - "Havasy, C.K."

Conference

A highly manufacturable 0.2 /spl mu/m AlGaAs/InGaAs PHEMT fabricated using the single-layer integrated-metal FET (SLIMFET) process.

Autor: Havasy, C.K., Quach, T.K., Bozada, C.A., DeSalvo, G.C., Dettmer, R.W., Ebel, J.L., Gillespie, J.K., Nakano, K., Via, G.D.

Publikováno v: GaAs IC Symposium IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium 17th Annual Technical Digest 1995; 1995, p89-92, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Pb-free Soldering Alternatives For Fine Pitched Electronics Packaging.

Autor: Felton, L.E., Raeder, C.H., Havasy, C.K., Knorr, D.B.

Publikováno v: Thirteenth IEEE/CHMT International Electronics Manufacturing Technology Symposium; 1992, p300-304, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Simplified ohmic and Schottky contact formation for field effect transistors using the single layer integrated metal field effect transistor (SLIMFET) process.

Autor: DeSalvo, G.C., Quach, T.K., Bozada, C.A., Dettmer, R.W., Nakano, K., Gillespie, J.K., Via, G.D., Ebel, J.L., Havasy, C.K.

Publikováno v: IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing; 1995, Vol. 8 Issue 3, p314-318, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

High temperature device characterstics of GaAs MESFETs fabricated with an AlAs buffer layer.

Autor: Trombley, G.J., Havasy, C.K., Lee, R.H.Y., Reston, R.R., Ito, C.R., Jenkins, T.J.

Publikováno v: 52nd Annual Device Research Conference; 1994, p147-148, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Enhanced gallium arsenide metal-semiconductor field effect transistors designed for high temperature operation.

Autor: Reston, R.R., Lee, H.Y., Ito, C.R., Trombley, G.J., Havasy, C.K., Johnson, B.

Publikováno v: Proceedings of National Aerospace & Electronics Conference (NAECON'94); 1994, p1138-1138, 1p

Zobrazit plný text záznamu