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pro vyhledávání: '"Hauteur de la barrière Schottky - HBS"'
Autor:
Zhang, Teng
En raison de l'attrait croissant pour les applications haute tension, haute tempé-rature et haute fréquence, le carbure de silicium (SiC) continue d'attirer l'attention du monde entier comme l'un des candidats les plus compétitifs pour remplacer l
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2018LYSEI108/document
Autor:
Zhang, Teng
Publikováno v:
Electronics. Université de Lyon, 2018. English. ⟨NNT : 2018LYSEI108⟩
Due to the increasing appeal to the high voltage, high temperature and high fre-quency applications, Silicon Carbide (SiC) is continuing attracting world’s attention as one of the most competitive candidate for replacing silicon in power electric f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::94a279db78eb3ff9f1f3f9ddb316aead
https://theses.hal.science/tel-02124529
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