1/ f noise characterization of amorphous/nanocrystalline silicon bilayer thin-film transistors

Autor: Hatzopoulos, A.T., Arpatzanis, N., Tassis, D.H., Dimitriadis, C.A., Templier, F., Oudwan, M., Kamarinos, G.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2007 51(5):726-731

Effects of hot carriers in offset gated polysilicon thin-film transistors

Autor: Hatzopoulos, A.T., Tassis, D.H., Arpatzanis, N., Dimitriadis, C.A., Kamarinos, G.

Publikováno v: In Microelectronics Reliability 2006 46(2):311-316

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Effect of channel width on the electrical characteristics of amorphous/nanocrystalline silicon bilayer Thin Film Transistors

Autor: Hatzopoulos, A.T., Arpatzanis, N., Tassis, D.H., Dimitriadis, C.A., Templier, F., Oudwan, M., Kamarinos, G.

Publikováno v: IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2007, 54 (5), pp.1265-1269

International audience

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::10e347d7d1b5550e658c22f86b42d428
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00392874