Zobrazeno 1 - 10
of 115
pro vyhledávání: '"Hatui, Nirupam"'
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 115, 172105 (2019)
In this study the MOCVD growth and electrical properties of N-polar modulation doped p-AlGaN/GaN superlattices (SLs) were investigated. Hole sheet charge density and mobility were studied as a function of the concentration of the p-type dopant Mg in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.06421
Autor:
Krishna, Athith, Raj, Aditya, Hatui, Nirupam, Koksaldi, Onur, Jang, Raina, Keller, Stacia, Mishra, Umesh
To realize the full spectrum of advantages that the III-nitride materials system offers, the demonstration of p-channel III-nitride based devices is valuable. Authors report the first p-type field effect transistor (pFET) based on an AlGaN/GaN superl
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.02022
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Maliakkal, Carina B., Rahman, A. Azizur, Hatui, Nirupam, Chalke, Bhagyashree A., Bapat, Rudheer D., Bhattacharya, Arnab
Gallium nitride nanowires were grown on c-plane, r-plane and m-plane sapphire substrates in a showerhead metalorganic chemical vapor deposition system using nickel catalyst with trimethylgallium and ammonia as precursors. We studied the influence of
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1509.01507
Autor:
Kayede, Emmanuel, Akso, Emre, Romanczyk, Brian, Hatui, Nirupam, Sayed, Islam, Khan, Kamruzzaman, Collins, Henry, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.
Publikováno v:
Crystals (2073-4352); Jun2024, Vol. 14 Issue 6, p485, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.