Zobrazeno 1 - 2 of 2 pro vyhledávání: '"Hattori, Shuto"'
1
Akademický článek
Theoretical study of the influence of GaOx interfacial layer on the GaN/SiO2 interface property.
Autor: Hattori, Shuto, Oshiyama, Atsushi, Shiraishi, Kenji
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/7/2024, Vol. 135 Issue 17, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje