PdGe on GaAs: A study of the applicability in InGaP/GaAs HBT fabrication.

Autor: Ahmari, D.A., Hattendorf, M.L., Lemmerhirt, D.F., Yang, Q., Hartmann, Q.J., Stillman, G.E.

Publikováno v: Compound Semiconductors 1997 Proceedings of the IEEE Twenty-Fourth International Symposium on Compound Semiconductors; 1998, p467-470, 4p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.