Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Hatanpää, Benjamin"'
Charge transport and dynamics in semiconductors determine the limits of contemporary high-performance electronic devices. Previously, in order to understand the microscopic mechanisms underlying charge transport, and to efficiently find novel materia
Autor:
Hatanpää, Benjamin, Minnich, Austin J.
Cubic boron nitride (c-BN) is an ultrawide-bandgap semiconductor of significant interest for high-frequency and high-power electronics applications owing to its high saturation drift velocity and high electric breakdown field. Beyond transistors, dev
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.08458
Autor:
Hatanpää, Benjamin, Minnich, Austin J.
Ab-initio calculations of charge transport properties in materials without adjustable parameters have provided microscopic insights into electron-phonon interactions which govern charge transport properties. Other transport properties such as the dif
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.01532
The ab-initio theory of charge transport in semiconductors typically employs the lowest-order perturbation theory in which electrons interact with one phonon (1ph). This theory is accepted to be adequate to explain the low-field mobility of non-polar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2207.11376
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.