Zobrazeno 1 - 10
of 117
pro vyhledávání: '"Hasunuma, Ryu"'
Autor:
Harashima, Yosuke, Koga, Hiroaki, Ni, Zeyuan, Yonehara, Takehiro, Katouda, Michio, Notake, Akira, Matsui, Hidefumi, Moriya, Tsuyoshi, Si, Mrinal Kanti, Hasunuma, Ryu, Uedono, Akira, Shigeta, Yasuteru
The structural stabilities of the monoclinic and tetragonal phases of Si-doped HfO$_{2}$ at finite temperatures were analyzed using a computational scheme to assess the effects of impurity doping. The finite temperature effects considered in this wor
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.14891
Autor:
Uedono, Akira, Hasunuma, Ryu, Onishi, Koki, Kitagawa, Hayato, Inoue, Fumihiro, Michishio, Koji, Oshima, Nagayasu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/28/2024, Vol. 136 Issue 4, p1-8, 8p
Autor:
Uedono, Akira, Takahashi, Naomichi, Hasunuma, Ryu, Harashima, Yosuke, Shigeta, Yasuteru, Ni, Zeyuan, Matsui, Hidefumi, Notake, Akira, Kubo, Atsushi, Moriya, Tsuyoshi, Michishio, Koji, Oshima, Nagayasu, Ishibashi, Shoji
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 November 2022 762
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yamashita, Yoshiyuki, Nara, Jun, Indari, Efi Dwi, Yamasaki, Takahiro, Ohno, Takahisa, Hasunuma, Ryu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/7/2022, Vol. 131 Issue 21, p1-7, 7p
Autor:
Harashima, Yosuke, Koga, Hiroaki, Ni, Zeyuan, Yonehara, Takehiro, Katouda, Michio, Notake, Akira, Matsui, Hidefumi, Moriya, Tsuyoshi, Si, Mrinal Kanti, Hasunuma, Ryu, Uedono, Akira, Shigeta, Yasuteru
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing; Nov2023, Vol. 36 Issue 4, p543-546, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology. 17:56-60
We obtained the energy distribution of the interface states at the SiO2/4H-SiC(0001) interface using operando hard x-ray photoelectron spectroscopy. Two types of interface states were observed: one with continuous interface states in the entire SiC b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::65d2e52f51530e202a5e07bc7ffec776
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/54550
https://tsukuba.repo.nii.ac.jp/records/54550
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.