Zobrazeno 1 - 10 of 10 pro vyhledávání: '"Hassooni, Mohsin A."'
1
Akademický článek
Effect of Temperature on Electronic Transport Rate in the Dye N3 Contact with ZnS Semiconductor.
Autor: Hamid, Zainab Amjad, Hassooni, Mohsin A.
Publikováno v: Library of Progress-Library Science, Information Technology & Computer; Jul-Dec2024, Vol. 44 Issue 2s, p224-231, 8p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Study of The Effect of Concentration on The Efficiency of The Sensitive N749-TiO2 Solar Cell.
Autor: Al-Agealy, Hadi J.M, Haider Mahdi, Mahdi, Hassooni, Mohsin A., Younis, Taghreed A.
Publikováno v: Journal of Physics: Conference Series; 2024, Vol. 2754 Issue 1, p1-10, 10p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Theoretical study of electron transfer processes in N749/ZnS semiconductor devices.
Autor: Harmoosh, Mohammed Kamil, Hassooni, Mohsin A.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; 2023, Vol. 2769 Issue 1, p1-7, 7p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Theoretical analysis of charge flow rate at dye sensitized-semiconductor interfaces cell system
Autor: Hassooni, Mohsin A.
Publikováno v: In Energy Reports February 2020 6 Supplement 3:72-78
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Theoretical Study of Heterogeneous Electronic Transition Rate at the Metal/ Ionic Liquid Interface Using Quantum Theory.
Autor: Alshafaay, B., Al-agealy, Hadi J. M., Hassooni, Mohsin A.
Publikováno v: Journal of Kufa - Physics; 2020, Vol. 12 Issue 1, p15-22, 8p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
Flow Production Rate of Hard Photons Probes of Quark-Anti Quark Annihilation Processes at Plasma Phase
Autor: Ashwiekh, Ahmed M., Hussein, Saba Mustafa, Al-Agealy, Hadi J. M., Hassooni, Mohsin A.
Publikováno v: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; June 2020, Vol. 871 Issue: 1 p012089-012089, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje