Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Hassanen, Ahmed"'
Quantum dot (QD) growth on high ($c_{3v}$) symmetry GaAs{111} surfaces holds promise for efficient entangled photon sources. Unfortunately, homoepitaxy on GaAs{111} surfaces suffers from surface roughness/defects and InAs deposition does not natively
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.00574
Autor:
Hassanen, Ahmed
In this thesis, the effect of surfactants (Bi /Sb) on GaAs(111) is explored, particularly in regards to modifying the surface morphology and growth kinetics. Both molecular beam epitaxy (MBE) and metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) techn
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/11375/26918
Autor:
Freundlich, Alexandre, Sugiyama, Masakazu, Collin, Stéphane, Akef, Samar, Hassanen, Ahmed M., Swillam, Mohamed A.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2020, Vol. 11275 Issue: 1 p112751B-112751B-6, 1014766p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 12/25/2018, Vol. 10931, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Freundlich, Alexandre, Sugiyama, Masakazu, Collin, Stéphane, Akef, Samar, Hassanen, Ahmed M., Swillam, Mohamed A.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; 12/4/2019, Vol. 11275, p112751B-112751B-6, 1p
Autor:
Piyawattanametha, Wibool, Park, Yong-Hwa, Zappe, Hans, Gerguis, John O., Sabry, Yasser M., Hassanen, Ahmed M., Omran, Haitham, Khalil, Diaa
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; March 2019, Vol. 10931 Issue: 1 p1093105-1093105-8