Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Harishkumar S"'
Publikováno v:
In FlatChem January 2020 19
Autor:
Harish Kumar Mahadevaiah, Harishkumar Shivanna, Anil Kumar Hanumaiah, Devarajegowda Hirehalli Chikkegowda, Palakshamurthy Bandrehalli Siddagangaiah
Publikováno v:
Acta Crystallographica Section E: Crystallographic Communications, Vol 80, Iss 12, Pp 1274-1279 (2024)
In the title compound, C8H9BrN2O2, the C—O—C—C torsion angle between isonicotine and the ethyl group is 180.0 (2)°. Intramolecular N—H...O and C—H...O interactions consolidate the molecular structure. In the crystal, N—H...N interaction
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d09cbbdb602b42cda9e353e2c9792127
Autor:
Harishkumar S
Publikováno v:
International Journal for Research in Applied Science and Engineering Technology. 9:1542-1547
Publikováno v:
2022 International Conference on Advanced Computing Technologies and Applications (ICACTA).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
DNA cleavage potential of 4-(piperidin-1-ylmethyl)-2-(thiophen-2-yl) quinoline 7(a-j) derivatives, were studied on Calf-thymus DNA by agarose gel electrophoresis method. The compounds 7e and 7j have exhibited almost complete cleavage, whereas the oth
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::96d958dec7a0d464f61275fc45e477a9
Publikováno v:
Applied Organometallic Chemistry; Oct2020, Vol. 34 Issue 10, p1-11, 11p
Autor:
Basavalingiah, K., Harishkumar, S., Udayabhanu, Nagaraju, G., Rangappa, Dinesh, Chikkahanumantharayappa
Publikováno v:
SN Applied Sciences; August 2019, Vol. 1 Issue: 8 p1-13, 13p
Autor:
Charles L. Wang, Tin Tin Wee, Cooper Jeffrey, Sanjeev Maheshwari, Dennis M. Fischette, Michael M. Oshima, Gerry R. Talbot, Sanjeev Aggarwal, Chad O. Lackey, Alvin Leng Sun Loke, Harishkumar S. Kedarnath, Emerson S. Fang, Bruce A. Doyle
Publikováno v:
A-SSCC
We present an 8.0-Gb/s HyperTransport™ technology I/O built in a 32-nm SOI-CMOS processor for high-performance servers. Based on a 45-nm design that caps at 6.4 Gb/s, the 32-nm transceiver achieves up to 8.0 Gb/s over long-reach board channels. Key
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.