Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Harfah, Halimah"'
Autor:
Harfah, Halimah, Wicaksono, Yusuf, Sunnardianto, Gagus K., Majidi, Muhammad Aziz, Kusakabe, Koichi
We investigate the impact of monoatomic vacancies in 2D materials on the performance of magnetic tunnel junction (MTJ) devices using first-principles calculations within Density Functional Theory (DFT). Specifically, we analyze the influence on hexag
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.02586
Autor:
Harfah, Halimah, Wicaksono, Yusuf, Sunnardianto, Gagus Ketut, Majidi, Muhammad Aziz, Kusakabe, Koichi
We presents a new strategy to create a van der Waals-based magnetic tunnel junction (MTJ) that consists of a three-atom layer thickness of graphene (Gr) sandwiched with hexagonal boron nitride (hBN) by introducing a monoatomic Boron vacancy in both h
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.14476
We found good reversibility of hydrogen uptake-release in vacancy-centered hexagonal armchair nanographene (VANG) based on density functional theory calculation. VANG has a triply hydrogenated vacancy (V$_{111}$) at the center and acts as a self-cata
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.15060
Autor:
Wicaksono, Yusuf, Harfah, Halimah, Sunnardianto, Gagus Ketut, Majidi, Muhammad Aziz, Kusakabe, Koichi
Publikováno v:
RSC Adv., 2022, 12, 13985-13991
$\require{mediawiki-texvc}$ A theoretical study is presented on the in-plane conductance of graphene that is partially sandwiched by Ni(111) slabs with a finite size and atom-scale width of $\approx12.08 \AA$. In the sandwiched part, the gapped Dirac
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2106.03068
Autor:
Harfah, Halimah, Wicaksono, Yusuf, Sunnardianto, Gagus Ketut, Majidi, Muhammad Aziz, Kusakabea, Koichi
Publikováno v:
Nanoscale Advances, 2022, 4, 1, 117-124
This work presents an ab-initio study of a few-layers hexagonal boron nitride (hBN) and hBN-graphene heterostructure sandwiched between Ni(111) layers. The aim of this study is to understand the electron transmission process through the interface. Sp
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.08939
Publikováno v:
ACS Appl. Electron. Mater. 2020, 2, 6, 1689-1699
We undertook an ab-initio study of hexagonal boron nitride (hBN) sandwiched between Ni(111) layers to examine the interface of this material structure. We considered Ni(111)/hBN/Ni(111) with a slab with three Ni atomic layers to determine the exact a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.12252
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.