Zobrazeno 1 - 10
of 209
pro vyhledávání: '"Hara, Naoki"'
Autor:
Hara, Naoki, Nakagawa, Masaya
We investigate the effect of two-body loss due to chemical reactions on quantum magnetism of fermionic polar molecules in an optical lattice. We show that an interplay between dissipation and strong long-range interactions leads to formation of metas
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.14967
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wajima, Takeaki1 (AUTHOR) twajima@meijo-u.ac.jp, Hara, Naoki2 (AUTHOR), Tanaka, Emi1 (AUTHOR), Shirai, Atsuko3 (AUTHOR), Uchiya, Kei-ichi1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Microbial Drug Resistance: Mechanism, Epidemiology, & Disease. Aug2024, Vol. 30 Issue 8, p350-352. 3p.
Autor:
Hara, Naoki1 (AUTHOR), Sunobe, Tomoki1 (AUTHOR) sunobe@biscuit.ocn.ne.jp
Publikováno v:
Ichthyological Research. Nov2021, Vol. 68 Issue 4, p541-547. 7p.
Autor:
Masaru Sato, Hara Naoki, Keiji Watanabe, Yusuke Kumazaki, Masato Nishimori, Toshihiro Ohki, Naoya Okamoto
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 11:1909-1916
In this study, we investigated the heat dissipation characteristics of gallium nitride high electron mobility transistors fabricated on a freestanding GaN substrate (GaN-on-GaN HEMTs) by simulation. Although the GaN substrate has a lower thermal cond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a616c7c924177b3243138278b6f73d0
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2021.3116616
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2021.3116616
Autor:
Zhang, Xuejun, Zhao, Tiansheng, Hara, Naoki, Jin, Yuzhou, Zeng, Chunyang, Yoneyama, Yoshiharu, Tsubaki, Noritatsu
Publikováno v:
In Fuel 15 January 2014 116:34-38