Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Haoxin, Yuan"'
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 8:700-704
An investigation has been made of the dark current mechanisms of SWIR (2-3 mu m) HgCdTe photovoltaic detectors fabricated for optical fibre communication applications. The photodiode forward and reverse current-voltage (I-V) characteristics, as well
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c8cdddb9cec7c9798509176c1478a00
https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/5/014
https://doi.org/10.1088/0268-1242/8/5/014
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Infrared Physics 1992 33(6):511-522
Publikováno v:
In Infrared Physics 1991 31(5):451-458
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yuan, Haoxin, Perera, A. G. Unil
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec97, Vol. 44 Issue 12, p2180, 7p, 1 Diagram, 5 Graphs
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; May1993, Vol. 8 Issue 5, p1-1, 1p