Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Hao Ouyanga"'
Publikováno v:
ECS Transactions. 6:285-287
The KrF pulsed excimer laser (248 nm) and the frequency- tripled Nd YAG laser (355nm) were used to separate GaN thin films from sapphire substrates. The effect of these two laser sources on the reverse-bias leakages of InGaN-GaN light- emitting diode
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ef5c71addabec8efcc063b6918a3df73
https://doi.org/10.1149/1.2731196
https://doi.org/10.1149/1.2731196
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.