Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Hannikainen, Kennet D. R."'
Autor:
Hannikainen, Kennet D. R., Favre, Luc, Deprat, Fabien, Gourhant, Olivier, Berbezier, Isabelle, Aqua, Jean-Noël
Silicon-Germanium (Si$_{1-x}$Ge$_x$) layers are commonly used as stressors in the gate of MOSFET devices. They are expected to introduce a beneficial stress in the drift and channel regions to enhance the electron mobility. When reducing the gate lat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.08070
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.