Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Hanisch, N."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lehninger, D., Ellinger, M., Ali, T., Li, S., Mertens, K., Lederer, M., Olivio, R., Kampfe, T., Hanisch, N., Biedermann, K., Rudolph, M., Brackmann, V., Sanctis, C., Jank, M., Seidel, K.
Thin-film transistors (TFTs) based on amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) have attracted vast attention for use in organic light-emitting diode (AMOLED) displays due to their high electron mobility and large current on off ratio. Although am
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::0eb3585ce4cfd1d4ed30970527b2d7d8
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/267819
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/267819
Dysphagia is a common symptom in neurodegenerative disorders and is generally associated with increased mortality. In the clinical care setting of ataxia patients, no systematical and standardized assessment of dysphagia is employed. Its impact on pa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=mdc______med::6f1cfc7fc6077ec8f5205d5d083be083
http://edoc.mdc-berlin.de/18796/1/18796oa.pdf
http://edoc.mdc-berlin.de/18796/1/18796oa.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ali, T., Polakowski, P., Riedel, S., Büttner, T., Kämpfe, T., Rudolph, M., Pätzold, B., Seidel, K., Löhr, D., Hoffmann, R., Czernohorsky, M., Kühnel, K., Thrun, X., Hanisch, N., Steinke, P., Calvo, J., Müller, J.
The recent discovery of ferroelectricity in thin film HfO2 materials renewed the interest in ferroelectric FET (FeFET) as an emerging nonvolatile memory providing a potential high speed and low power Flash alternative. Here, we report more insight in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::d7745f74fe986e310d068e3e54603762
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/256741
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/256741
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Clinical Neurophysiology August 2018 129(8):e69-e69
