Výsledky vyhledávání - "Hananova, A."

Analysis of the GaN-HEMT parameters before and after gamma-neutron irradiation

Autor: E. A. Tarasova, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, O. E. Galkin, A. B. Makarov

Publikováno v: Semiconductors. 51:1490-1494

A method for mathematical processing of the results of measurements of the capacitance–voltage characteristics for an AlGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor) before and after γ-neutron irradiation with a fluence of 0.4 × 1014 cm–2 is

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eaf82b82bcdba4dfac4ac5665658ee20
https://doi.org/10.1134/s1063782617110264

Zobrazit plný text záznamu

Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors

Autor: V. I. Egorkin, V. E. Zemliakov, A. V. Saharov, G. V. Medvedev, A. F. Zazul’nokov, E. A. Tarasova, A. V. Nezhenzev, E. E. Zavarin, E. S. Obolenskaya, S. V. Obolensky, V. V. Lundin, A. V. Hananova

Publikováno v: Semiconductors. 50:1574-1578

The sensitivity of classical n +/n – GaAs and AlGaN/GaN structures with a 2D electron gas (HEMT) and field-effect transistors based on these structures to γ-neutron exposure is studied. The levels of their radiation hardness were determined. A met

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::57f1b76ac7a3a279c898257a8222171d
https://doi.org/10.1134/s1063782616120216

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání