Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Low-frequency noise of MoTe 2 transistor: effects on ambipolar carrier transport and CYTOP doping.

Autor: Shin W; Inter-University Semiconductor Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea.; Department of Semiconductor Convergence Engineering, Sungkyunkwan University, Suwon, Gyeonggi-do, 16419, Republic of Korea., Lee DH; Department of Semiconductor Engineering, Gachon University, Seongnam, 13120, Republic of Korea., Ko R; Department of Semiconductor Engineering, Gachon University, Seongnam, 13120, Republic of Korea., Koo RH; Inter-University Semiconductor Research Center, Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, Seoul, 08826, Republic of Korea., Yoo H; Department of Semiconductor Engineering, Gachon University, Seongnam, 13120, Republic of Korea. hyoo@gachon.ac.kr.; Department of Electronic Engineering, Gachon University, Seongnam, 13120, Republic of Korea. hyoo@gachon.ac.kr., Lee ST; School of Electronic and Electrical Engineering, Hongik University, Seoul, 04066, Republic of Korea. lst777@hongik.ac.kr.

Publikováno v: Discover nano [Discov Nano] 2024 Nov 19; Vol. 19 (1), pp. 185. Date of Electronic Publication: 2024 Nov 19.