Zobrazeno 1 - 10
of 170
pro vyhledávání: '"Han, Dong‐Pyo"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 8/21/2024, Vol. 136 Issue 7, p1-8, 8p
Autor:
Katsuro Sae, Lu Weifang, Ito Kazuma, Nakayama Nanami, Yamamura Shiori, Jinno Yukimi, Inaba Soma, Shima Ayaka, Sone Naoki, Han Dong-Pyo, Huang Kai, Iwaya Motoaki, Takeuchi Tetsuya, Kamiyama Satoshi
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 11, Iss 21, Pp 4793-4804 (2022)
GaInN/GaN multi-quantum-shell (MQS) nanowires (NWs) are gaining increasing attention as promising materials for developing highly efficient long-wavelength micro-light emitting diodes (LEDs). To improve the emission properties in GaInN/GaN MQS NWs, i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2cbca2d8658448648fd84924f8150d34
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fujiki, Ryoto, Takahashi, Ryo, Hiramatsu, Ryoya, Hozo, Keisuke, Han, Dong-Pyo, Iwaya, Motoaki, Takeuchi, Tetsuya, Kamiyama, Satoshi
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 September 2022 593
Factors determining the carrier distribution in InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) are studied via photoluminescence and temperature-dependent electroluminescence spectra. Employing a dichromatic LED device, we demonst
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.09559
In this paper, we aim to understand the apparent characteristics of IQE and I-V curve in AlGaInP and InGaN LED devices. For the analysis, we separate the current into radiative current and non-radiative current component by using the information of I
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.09557
As an attempt to further elucidate the operating voltage increase in InGaN-based light-emitting diodes (LEDs), the radiative and nonradiative current components are separately analyzed in combination with the Shockley diode equation. Through the anal
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.08254
Carrier recombination and transport processes play key roles in determining the optoelectronic performances such as the efficiency droop and forward voltage in InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) light-emitting diodes (LEDs). In this work, we inves
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.08251
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.