Zobrazeno 1 - 1 of 1 pro vyhledávání: '"Hamedvasighi, Fatemeh"'
1
Akademický článek
The effect of a charge trap in the vicinity of the quantum-dot on the charge stability diagram of a single electron transistor.
Autor: Hamedvasighi, Fatemeh, Shalchian, Majid
Publikováno v: AUT Journal of Electrical Engineering; 2024, Vol. 56 Issue 3, p453-464, 12p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje