Zobrazeno 1 - 10 of 92 pro vyhledávání: '"Halliwell, M. A. G."'
1
Akademický článek
Interference structures in double-crystal X-ray rocking curves from very thin multiple epitaxial layers.
Autor: Tanner, B K, Halliwell, M A G
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; 1988, Vol. 3 Issue 10, p967-972, 6p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Improvements to and characterization of GaInAs/AlInAs heterointerfaces grown by molecular-beam epitaxy.
Autor: Scott, E. G., Davey, S. T., Halliwell, M. A. G., Davies, G. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1988, Vol. 6 Issue 2, p603-606, 4p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The characterization of distortions in heteroepitaxial structures by X-ray multiple diffraction.
Autor: Brown, B. R., Halliwell, M. A. G., Isherwood, B. J.
Publikováno v: Journal of Microscopy; 1980, Vol. 118 Issue 3, p375-381, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Periodical
Determining substrate orientation using a high-resolution diffractometer
Autor: Halliwell, M. A. G., Chua, S. J.
Publikováno v: Journal of Crystal Growth; 1998, Vol. 192 Issue: 3 p456-461, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Periodical
Practical interpretation of X-ray rocking curves from semiconductor heteroepitaxial layers
Autor: Halliwell, M. A. G.
Publikováno v: Applied Physics A: Materials Science & Processing; March 1994, Vol. 58 Issue: 3 p135-140, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Equilibrium critical thickness for Si1-xGex strained layers on (100) Si.
Autor: Houghton, D. C., Gibbings, C. J., Tuppen, C. G., Lyons, M. H., Halliwell, M. A. G.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1/29/90, Vol. 56 Issue 5, p460, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Asymmetric strain distributions resulting from deliberately induced misfit dislocations.
Autor: Tuppen, C. G., Gibbings, C. J., Hockly, M., Halliwell, M. A. G.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1/8/1990, Vol. 56 Issue 2, p140, 3p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Direct energy gap of Al1-xInxAs lattice matched to InP.
Autor: Wakefield, B., Halliwell, M. A. G., Kerr, T., Andrews, D. A., Davies, G. J., Wood, D. R.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1984, Vol. 44 Issue 3, p341-343, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Estimation of percentage relaxation in Si/Si1-xGex strained-layer superlattices.
Autor: Halliwell, M. A. G., Lyons, M. H., Davey, S. T., Hockly, M., Tuppen, C. G., Gibbings, C. J.
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; Jan1989, Vol. 4 Issue 1, p1-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Asymmetric Relaxation in Epitaxial Layers of III-V Compounds.
Autor: Turnbull, A. G., Green, G. S., Tanner, B. K., Halliwell, M. A. G.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 01/23/1990, Vol. 202, pN.PAG-1, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje