Zobrazeno 1 - 10
of 158
pro vyhledávání: '"Hall device"'
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 12, Iss 23, Pp 4361-4373 (2023)
Multidimensional manipulation of photonic spin Hall effect (PSHE) has attracted considerable interest due to its potential in a wide variety of spin-based applications. Plenty of research efforts have been devoted to transverse or longitudinal spin-d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f9cad152b0c9488084d95a2d50400517
Autor:
Haiyun Huang, Yue Xu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 820-826 (2021)
This paper proposes a new implementation method to significantly improve the magnetic sensitivity of a fully symmetric vertical Hall device (FSVHD) based on low-voltage CMOS technology. The FSVHD consists of four identical three-contact vertical Hall
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e40f36bcc7bd4345b1607d9bd5abcbc5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, Vol 18, Iss 1, Pp 35-40 (2018)
This study presents a vertical-type CMOS Hall device with improved sensitivity to detect a 3D magnetic field in various types of sensors or communication devices. To improve sensitivity, trenches are implanted next to the current input terminal, so t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2b2a7620170342a1a6b65fccaf204f62
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 20, Iss 18, p 5285 (2020)
A CMOS (Complementary metal-oxide-semiconductor) Hall sensor with low power consumption and simple structure is introduced. The tiny magnetic signal from Hall device could be detected by a high-resolution delta-sigma ADC in presence of offset and fli
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7a8fc08f9c08410ba5d67f782a97e64c
Publikováno v:
CHIMIA, Vol 72, Iss 6 (2018)
This review describes a new perspective on the role that electron spin plays in the intermolecular forces between two chiral molecules and between chiral molecules and surfaces. This different role of the spin arises from the chiral induced spin sele
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/28965c5bfa9c4e7b8d1857f73d6c636a
Publikováno v:
Sensors, Vol 18, Iss 4, p 1065 (2018)
In this paper, a new single-device three-dimensional (3D) Hall sensor called a cross-shaped 3D Hall device is designed based on the five-contact vertical Hall device. Some of the device parameters are based on 0.18 μm BCDliteTM technology provided b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/05d001c0ea8c4248ab64e569b7e071a6
Autor:
Rongshan Wei, Yuxuan Du
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 9, p 610 (2019)
A vertical Hall device is an important component of 3D Hall sensors, used for detecting magnetic fields parallel to the sensor surface. The Hall devices described in existing research still have problems, such as large offset voltage and low sensitiv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01809b2860444d929ffd80d580855525