Zobrazeno 1 - 10
of 2 023
pro vyhledávání: '"Halbleiter"'
Autor:
Gatsios, Christos
Im Bereich der organischen Halbleiter wurden bedeutende Fortschritte erzielt, die die Materialwissenschaft und Elektronikentwicklung beeinflussen. Diese Materialien sind flexibel, leicht und kosteneffizient, was ihre Anwendung in Photovoltaik, Leucht
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/29898
Autor:
Kropp, Aron Igal
Es wird eine Alternative zum Ätzen von Siliciumnitrid (SiNx) auf Silicium-Wafern vorgestellt. Herkömmliche Verfahren zum Ätzen von SiNx auf Silicium-Wafern arbeiten mit Flusssäure oder Phosphorsäure. Zu diesen Chemikalien werden alternative orga
Externí odkaz:
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A94277
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A94277/attachment/ATT-0/
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A94277/attachment/ATT-0/
Autor:
Corley-Wiciak, Cedric
This thesis provides also a detailed stepwise guideline on the data analysis for scanning X-ray diffraction experiments at a modern synchrotron radiation source.
Halbleiterbasierte Spin-Qubits in elektrostatischen Quantenpunkten haben vor Kurzem
Halbleiterbasierte Spin-Qubits in elektrostatischen Quantenpunkten haben vor Kurzem
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/29264
Autor:
Tammireddy, Sandhya
Metal halide perovskites have attracted considerable attention as excellent candidates for application in solar cells. Despite their excellent performance, photovoltaic devices based on perovskite absorber’s wide-scale integration into industrial a
Autor:
Wang, Shu-Jen, Wohlrab, Steve, Reith, Heiko, Berger, Dietmar, Kleemann, Hans, Nielsch, Kornelius, Leo, Karl
Local thermal management has important implications regarding comfort, energy consumption, and electronic device performance/lifetime. While organic thermoelectrics have emerged as promising materials for flexible thermoelectric energy harvesting dev
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A89874
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A89874/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A89874/attachment/ATT-0/
Autor:
Winkler, Felix, Pešić, Milan, Richter, Claudia, Hoffmann, Michael, Mikolajick, Michael, Bartha, Johann W.
So far, only CMOS compatible and scalable hafnia-zirconia (HZO) based ferroelectric (FE) n-FeFETs have been reported. To enable the full ferroelectric hierarchy [1] both p- and n-type devices should be available. Here we report a p-FeFET with a large
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A77564
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A77564/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A77564/attachment/ATT-0/
To overcome the fundamental limit of the transistor subthreshold swing of 60 mV/dec at room temperature, the use of negative capacitance (NC) in ferroelectric materials was proposed [1]. Due to the recent discovery of ferroelectricity in CMOS compati
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A77575
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A77575/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A77575/attachment/ATT-0/
Autor:
Ahrling, Robin Fabian
Die Elektrifizierung unserer Gesellschaft verlangt eine stetige Innovation von elektrischen Bauteilen. Ein vielversprechendes Material ist der transparente Halbleiter ß-Ga2O3. Mit seiner hohen Bandlücke von 4,8 eV bietet das Material gute Vorausset
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/29040
Autor:
Fuchs, Christopher
Accessing Topological Phases of Mercury Cadmium Telluride Heterostructure Devices presents a broad study on quantum transport effects in the major topological transport phases of devices fabricated from mercury cadmium telluride quantum wells. The in
Autor:
Mandal, Pankaj
We bring together aspects of magnetism and superconductivity to gain new insights in their coexistence. We have investigated molecular beam epitaxy grown topological insulator doped with magnetic atoms (hosting electrons in two dimensions) when broug