Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Haisler, V.A."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Haisler, V.A., Haisler, A.V., Derebezov, I.A., Yaroshevich, A.S., Bakarov, A.K., Dmitriev, D.V., Kalagin, A.K., Toropov, A.I., Kachanova, M.M., Zhivodkov, Yu.A., Gavrilova, T.A., Medvedev, A.S., Nenasheva, L.A., Semenova, O.I., Grachev, K.V., Sandyrev, V.K., Kozhukhov, A.S., Sheglov, D.V., Tretyakov, D.B., Beterov, I.I., Entin, V.M., Ryabtsev, I.I., Latyshev, A.V., Aseev, A.L.
Publikováno v:
In Advances in Semiconductor Nanostructures 2017:437-461
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
20 Gb/s 85 degrees C error-free operation of VCSELs based on submonolayer deposition of quantum dots
Autor:
Hopfer, F., Mutig, A., Fiol, G., Kuntz, M., Shchukin, V.A., Haisler, V.A., Warming, T., Stock, E., Mikhrin, S.S., Krestnikov, I.L., Livshits, D.A., Kovsh, A.R., Bornholdt, C., Lenz, A., Eisele, H., Dahne, M., Ledentsov, N.N., Bimberg, D.
980 nm vertical-cavity surface-emitting lasers based on submonolayer growth of quantum dots show clearly open eyes and operate error free with bit error rates better than 10(-12) at 25 and 85 degrees C for 20 Gb/s without current adjustment. The peak
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::74790196b8ea7a864bb6d4ba2f80aade
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/214006
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/214006
Autor:
Akhundov, I.O., Aliev, V.Sh., Alperovich, V.L., Anciferov, A.P., Aseev, A.L., Bakarov, A.K., Beterov, I.I., Budantsev, M.V., Bykov, A.A., Chaplik, A.V., Chin, A., Derebezov, I.A., Dmitriev, D.V., Dvoretsky, S.A., Dvurechenskii, A.V., Entin, M.V., Entin, V.M., Fedina, L.I., Gavrilova, T.A., Grachev, K.V., Gritsenko, V.A., Gutakovskii, A.K., Haisler, A.V., Haisler, V.A., Ikusov, D.G., Islamov, D.R., Ivanova, E.V., Kachanova, M.M., Kaichev, V.V., Kalagin, A.K., Karpov, A.N., Kazantsev, D.M., Kosolobov, S.S., Kozhukhov, A.S., Kozlov, D.A., Kuzmin, V.D., Kvon, Z.D., Latyshev, A.V., Mardezov, A.S., Medvedev, A.S., Mikhailov, N.N., Milekhin, A.G., Nasimov, D.A., Neizvestny, I.G., Nenasheva, L.A., Olshanetsky, E.B., Perevalov, T.V., Pogosov, A.G., Pokhabov, D.A., Popov, V.P., Prinz, V.Ya., Remesnik, V.G., Rihlicky, S.V., Rodyakina, E.E., Rogilo, D.I., Romanyuk, K.N., Rudaya, N.S., Ryabtsev, I.I., Sabinina, I.V., Sandyrev, V.K., Saraev, A.A., Semenova, O.I., Sheglov, D.V., Shevyrin, A.A., Shklyaev, A.A., Shvets, V.A., Shwartz, N.L., Sidorov, G.Yu., Sidorov, Yu.G., Sitnikov, S.V., Spesivcev, E.V., Terekhov, A.S., Teys, S.A., Tkachenko, O.A., Tkachenko, V.A., Toropov, A.I., Tretyakov, D.B., Tsarev, A.V., Tyschenko, I.E., Uzhakov, I.N., Varavin, V.S., Vitkalov, S.A., Yakimov, A.I., Yakushev, M.V., Yaroshevich, A.S., Zahn, D.R.T., Zamoryanskaya, M.V., Zhdanov, E.Yu., Zhivodkov, Yu.A.
Publikováno v:
In Advances in Semiconductor Nanostructures 2017:xv-xxi
Autor:
Hopfer, F., Mutig, A., Fiol, G., Kuntz, M., Shchukin, V.A., Haisler, V.A., Warming, T., Stock, E., Mikhrin, S.S., Krestnikov, I.L., Livshits, D.A., Kovsh, A.R., Bornholdt, C., Lenz, A., Eisele, H., Dahne, M., Ledentsov, N.N., Bimberg, D.
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics; Sep/Oct2007, Vol. 13 Issue 5, p1302-1308, 7p
Autor:
Tenne, D.A., Haisler, V.A., Bakarov, A.K., Toropov, A.I., Gutakovsky, A.K., Shebanin, A.P., Zahn, D.R.T.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (B); Mar2001, Vol. 224 Issue 1, p25-29, 5p
Publikováno v:
European Physical Journal B: Condensed Matter; Apr1999, Vol. 8 Issue 3, p371-376, 6p
Autor:
Haisler, V.A.
Publikováno v:
2008 Third International Forum on Strategic Technologies; 2008, p195-197, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.