Zobrazeno 1 - 10
of 131
pro vyhledávání: '"Haegele D"'
Autor:
Sifft, M., Kurzmann, A., Kerski, J., Schott, R., Ludwig, A., Wieck, A. D., Lorke, A., Geller, M., Hägele, D.
The blinking statistics of quantum emitters and their corresponding Markov models play an important role in high resolution microscopy of biological samples as well as in nano-optoelectronics and many other fields of science and engineering. Current
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.10464
Autor:
Fischer, J., Döntgen, J., Molin, C., Gebhardt, S. E., Hambal, Y., Shvartsman, V. V., Lupascu, D. C., Hägele, D., Rudolph, J.
Publikováno v:
Rev. Sci. Instrum. 94, 043906 (2023)
A contactless technique for direct time-resolved measurements of the full dynamics of the adiabatic temperature change in electrocaloric materials is introduced. The infrared radiation emitted by the electrocaloric sample is sensitively detected with
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.02354
Autor:
Sifft, M., Kurzmann, A., Kerski, J., Schott, R., Ludwig, A., Wieck, A. D., Lorke, A., Geller, M., Hägele, D.
Publikováno v:
Phys. Rev. Research 3, 033123 (2021)
Quantum polyspectra of up to fourth order are introduced for modeling and evaluating quantum transport measurements offering a powerful alternative to methods of the traditional full counting statistics. Experimental time-traces of the occupation dyn
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.07992
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 86, 165301 (2012)
We study the optical orientation of electron spins in GaAs/AlGaAs quantum wells for excitation in the growth direction and for in-plane excitation. Time- and polarization-resolved photoluminescence excitation measurements show, for resonant excitatio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1202.2040
Publikováno v:
Phys. Rev. B. 79, 045320 (2009)
We report a comprehensive experimental study and detailed model analysis of the terahertz dielectric response and density kinetics of excitons and unbound electron-hole pairs in GaAs quantum wells. A compact expression is given, in absolute units, fo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0809.2080
Publikováno v:
Phys. Rev. B 79, 193307 (2009) [4 pages]
Very high precision measurements of the electron Lande g-factor in GaAs are presented using spin-quantum beat spectroscopy at low excitation densities and temperatures ranging from 2.6 to 300 K. In colligation with available data for the temperature
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0608534
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 95, 216603 (2005)
We observe the noise spectrum of electron spins in bulk GaAs by Faraday rotation noise spectroscopy. The experimental technique enables the undisturbed measurement of the electron spin dynamics in semiconductors. We measure exemplarily the electron s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0505495