Zobrazeno 1 - 10
of 52
pro vyhledávání: '"Hadiyawarman"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hadiyawarman1 (AUTHOR), Wisely, Nick2 (AUTHOR), Iqbal, Muhammad2,3 (AUTHOR) muh.iqbal@itb.ac.id, Timuda, Gerald Ensang1 (AUTHOR), Darsono, Nono4 (AUTHOR), Yuliarto, Brian2,3 (AUTHOR), Khaerudini, Deni Shidqi1 (AUTHOR) deni.shidqi.khaerudini@brin.go.id
Publikováno v:
Clean Technologies & Environmental Policy. Mar2024, Vol. 26 Issue 3, p599-621. 23p.
Autor:
Saptari, Sitti Ahmiatri, Syarifuddin, Jilil Qur’ani, Tjahjono, Arif, Hadiyawarman, Hadiyawarman, Timuda, Gerald Ensang
Publikováno v:
Emergent Materials; 20240101, Issue: Preprints p1-14, 14p
Autor:
Kim, Yong-Jin, Tukiman, Hadiyawarman, Lee, Chul-Ho, Kim, Sung-Soo, Park, Jinho, Sohn, Byeong-Hyeok, Kim, Miyoung, Yi, Gyu-Chul, Jung, Ranju, Liu, Chunli
Publikováno v:
In Current Applied Physics March 2014 14(3):269-274
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tambunan, Octolia Togibasa, Tukiman, Hadiyawarman, Parwanta, Kadek Juliana, Jeong, Da Woon, Jung, Chang Uk, Rhee, Seuk Joo, Liu, Chunli
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures October 2012 52(4):774-781
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2019 IEEE Regional Symposium on Micro and Nanoelectronics (RSM).
For several decades, “von Neumann” computers have been downsized while their performances have been improved. However, the downsizing has reached its limit, imposed by the tunneling effect in the transistor, which also prevents energy consumption
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2dffe41bed6d49f93c9a00cc52c36ea8
https://doi.org/10.1109/rsm46715.2019.8943543
https://doi.org/10.1109/rsm46715.2019.8943543