Výsledky vyhledávání - "Hadano, Yuta"

Report

Transitions from a Kondo-like diamagnetic insulator into a modulated ferromagnetic metal in $\bm{\mathrm{FeGa}_{3-y}\mathrm{Ge}_y}$

Autor: Zhang, Yao, Imai, Masaki, Michioka, Chishiro, Hadano, Yuta, Avila, Marcos A., Takabatake, Toshiro, Yoshimura, Kazuyoshi

One initial and essential question of magnetism is whether the magnetic properties of a material are governed by localized moments or itinerant electrons. Here we expose the case for the weakly ferromagnetic system FeGa$_{3-y}$Ge$_y$ wherein these tw

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1706.03326

Zobrazit plný text záznamu

Report

Ferromagnetic Instability in a Doped Band-Gap Semiconductor FeGa$_{3}$

Autor: Umeo, Kazunori, Hadano, Yuta, Narazu, Shota, Onimaru, Takahiro, Avila, Marcos A., Takabatake, Toshiro

We report the effects of electron doping on the ground state of a diamagnetic semiconductor FeGa$_{3}$ with a band gap of 0.5 eV. By means of electrical resistivity, magnetization and specific heat measurements we have found that gradual substitution

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1210.5360

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Transitions from a Kondo-like diamagnetic insulator into a modulated ferromagnetic metal in FeGa 3−y Ge y

Autor: Zhang, Yao, Chen, Jie-Sheng, Ma, Jie, Ni, Jiamin, Imai, Masaki, Michioka, Chishiro, Hadano, Yuta, Avila, Marcos A., Takabatake, Toshiro, Li, Shiyan, Yoshimura, Kazuyoshi

Publikováno v: Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2018 Mar . 115(13), 3273-3278.

Externí odkaz: https://www.jstor.org/stable/26508217

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Electronic structure of a narrow-gap semiconductor FeGa3 investigated by photoemission and inverse photoemission spectroscopies

Autor: Arita, Masashi, Shimada, Kenya, Utsmi, Yuki, Morimoto, Osamu, Sato, Hitoshi, Namatame, Hirofumi, Taniguchi, Masaki, Hadano, Yuta, Takabatake, Toshiro

We have performed a photoemission and inverse photoemission spectroscopic study of a narrow-gap semiconductor FeGa_3, in order to characterize the occupied and unoccupied electronic states. The energy-gap size was found to be ～0.4 eV, and the valen

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0bd99b3cea962657c72cbd84fa5772d0
http://ir.lib.hiroshima-u.ac.jp/00031968

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání