Výsledky vyhledávání

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Atemnot bei Säuglingen, Kleinkindern und Schulkindern: Teil 2 der „glorreichen Sieben" der pädiatrischen Notfallmedizin. (German)

Autor: Singer, T., Rohde, C., Lieftüchter, V., Habicht, S.

Publikováno v: Notfall & Rettungsmedizin; Nov2024, Vol. 27 Issue 7, p568-575, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Report

Energy Gaps and Kohn Anomalies in Elemental Superconductors

Autor: Aynajian, P., Keller, T., Boeri, L., Habicht, S. M. Shapiro K., Keimer, B.

Publikováno v: Science 319, 1509 (2008)

The momentum and temperature dependence of the lifetimes of acoustic phonons in the elemental superconductors Pb and Nb was determined by resonant spin-echo spectroscopy with neutrons. In both elements, the superconducting energy gap extracted from t

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/0808.1028

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

LaLuO3 higher-κ dielectric integration in SOI MOSFETs with a gate-first process

Autor: Nichau, A., Durğun Özben, E., Schnee, M., Lopes, J.M.J., Besmehn, A., Luysberg, M., Knoll, L., Habicht, S., Mussmann, V., Luptak, R., Lenk, St., Rubio-Zuazo, J., Castro, G.R., Buca, D., Zhao, Q.T., Schubert, J., Mantl, S.

Publikováno v: In Solid State Electronics May 2012 71:19-24

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Study of Arsenic ion implantation of patterned strained Si NWs

Autor: Minamisawa, R.A., Habicht, S., Knoll, L., Zhao, Q.T., Buca, D., Mantl, S., Köhler, F., Carius, R.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2011 60(1):31-36

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Silicon nanowire FETs with uniaxial tensile strain

Autor: Feste, S.F., Knoch, J., Habicht, S., Buca, D., Zhao, Q.-T., Mantl, S.

Publikováno v: In Solid State Electronics 2009 53(12):1257-1262

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Elastic strain and dopant activation in ion implanted strained Si nanowires.

Autor: Minamisawa, R. A., Habicht, S., Buca, D., Carius, R., Trellenkamp, S., Bourdelle, K. K., Mantl, S.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec2010, Vol. 108 Issue 12, p124908, 9p, 1 Black and White Photograph, 2 Diagrams, 2 Charts, 10 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Kelvin probe force microscopy for characterizing functionalized semiconductor surfaces for nano and biotechnologies

Autor: Baumgart, C., Habicht, S., Feste, S., Helm, M., Müller, A.-D., Schmidt, H.

Publikováno v: E-MRS Fall Meeting 2012, 17.-21.09.2012, Warsaw, Poland

Kelvin probe force microscopy (KPFM) is one of the most promising non-contact electrical nanometrology technique to characterize functionalized semiconductor. We present its applicability to determine surface-near electrostatic forces in locally dope

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::9667899fe16a7910d3239a90dcfb7643
https://www.hzdr.de/publications/Publ-17818-1

Zobrazit plný text záznamu

Kelvin probe force microscopy imaging on horizontal locally doped silicon nanowires

Autor: Baumgart, C., Habicht, S., Feste, S., Helm, M., Mantl, S., Schmidt, H.

Publikováno v: DPG-Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM), 25.-30.03.2012, Berlin, Deutschland

Kelvin probe force microscopy (KPFM) [1] has been used for the electrical characterization of silicon nanowires (NWs). Arrays of horizontal Si NWs [2] with widths down to 10 nm have been prepared from a silicon-on-insulator (SOI) starting material. A

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::e72010a9a6229627bdf2290d25b0d8f7
https://www.hzdr.de/publications/Publ-17080-1

Zobrazit plný text záznamu

Kelvin probe force microscopy imaging on locally doped silicon nanowires

Autor: Baumgart, C., Habicht, S., Feste, S., Helm, M., Schmidt, H.

Publikováno v: Subtherm 2011, 25.-27.10.2011, Dresden, Deutschland

Kelvin probe force microscopy (KPFM) [1] is used for the nanoscale characterization of silicon nanowires (NWs). Horizontal NW arrays have been prepared from a silicon-on-insulator (SOI) starting material. After transferring the NW structures into the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::71e8bd1213612762b2c30d5c17074c07
https://www.hzdr.de/publications/Publ-16405-1

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání