Zobrazeno 1 - 10
of 1 131
pro vyhledávání: '"HVPE"'
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 22, Iss , Pp 938-946 (2023)
The effect of oxygen incorporation on the crystal quality and defect states in AlxGa1−xN epilayers (x = 0.4, 0.6, 0.8) grown by hydride vapor phase epitaxy with and without oxygen gas flow were studied. On the basis of the full width at half-maximu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/daa6933622e2460ca63427c05b916acc
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 9, p 091001 (2024)
Hexagonal boron nitride (h-BN) has attracted considerable interest as an ultrawide bandgap (UWBG) semiconductor. Experimental studies focused on the detailed near band-edge structure of h-BN at room temperature are still lacking. We report a direct e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e4d33797071642ef9aea61425cd42e32
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 5, p 055502 (2024)
We have developed a pore-assisted separation (PAS) method for the fabrication of free-standing GaN substrates, where bulk GaN crystals were separated from seed GaN templates at electrochemically formed porous layers. The pore size was controlled by t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5dde50f01b854d099743b393284a7fd0
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 12, p 1694 (2023)
The crystallographic-orientation relationship between GaN crystals grown via hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on 6H-SiC was investigated. This study employed electron backscatter diffraction (EBSD) Kikuchi diffraction patterns and pole figures to i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6d48d8666630452f9a7f5767cc65ee4d
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 17, Iss , Pp 1485-1490 (2022)
The defect states and electrical properties of AlxGa1-xN (x = 0.4) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) were investigated. To identify the effect of incorporation of elemental O in AlxGa1-xN crystals, HVPE growth of AlxGa1-xN crystals was cond
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b2f55a6763b6463384869b2e51fdf3d7
Publikováno v:
Frontiers in Physics, Vol 10 (2022)
The high-quality semi-polar (11-22) AlN thin films were grown on m-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The surface morphology and crystalline quality of the AlN film were greatly influenced by the growth temperature and t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49448db91d504e1da40b94d707de8ad7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.