Výsledky vyhledávání - "HORIGUCHI, Takeshi"

Knihovna AV ČR, v. v. i.

Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
- English
- Čeština
Instituce

Pokročilé vyhledávání

Zahrnout EIZ

Zachovat současné nastavení filtrů

EXPAND:"fulltext"

Domovská stránka
Vyhledávání: "HORIGUCHI, Takeshi"
Navrhnout nákup titulu

Zobrazeno 1 - 10 of 45 pro vyhledávání: '"HORIGUCHI, Takeshi"'

Řazení

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

Vybrat výsledek číslo 1 1

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 2 2

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 3 3

SiC-MOSFET, GaN-HEMTに適用可能なユニバーサルデバイスモデルの開発

Autor: Nakashima, Junichi, Horiguchi, Takeshi, urakabe, takahiro, Hagiwara, Makoto

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::d73dfd0d151d6bd2e3ddcade60804524
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100885619

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 4 4

6.5 kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデルを用いた並列駆動動作に関する一検討

Autor: Ushijima, Kazuki, Kuzumoto, Masaki, Hagiwara, Makoto, Teng, Fei, Ishii, Yuuki, Nakashima, Junichi, Horiguchi, Takeshi, Mukunoki, Yasushige, Jimichi, Takushi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::781eee57c18796ff2a366935e9d55c10
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100885636

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 5 5

An Improved Compact Model for a Silicon-Carbide MOSFET and Its Application to Accurate Circuit Simulation

Autor: Mukunoki, Yasushige, Konno, Kentarou, Horiguchi, Takeshi, Kuzumoto, Masaki, Hagiwara, Makoto, Akagi, Hirofumi

Publikováno v: IEEE Transactions on Power Electronics. 33(No. 11):9834-9842

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::6f05be340fc8a3b7353f89b1ba925ce1
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100794017

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 6 6

6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発

Autor: Teng, Fei, Kuzumoto, Masaki, Hagiwara, Makoto, Ishii, Yuuki, Nakashima, Junichi, Horiguchi, Takeshi, Mukunoki, Yasushige, Jimichi, Takushi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::d7c5528245c2bba54727a7ed300ac630
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100885639

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 7 7

SiC-MOSFETデバイスモデルの開発

Autor: Mukunoki, Yasushige, Horiguchi, Takeshi, Kuzumoto, Masaki, Hagiwara, Makoto, Akagi, Hirofumi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::b287b423b2216df6bcf4f96c7cb75876
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100885651

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 8 8

SiC-MOSFETデバイスモデルによる高周波漏洩電流の解析

Autor: Matsuo, Tsubasa, Konno, Kentarou, Kuzumoto, Masaki, Hagiwara, Makoto, Akagi, Hirofumi, Mukunoki, Yasushige, Horiguchi, Takeshi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::32c5856f59c2f9b09ed22b8b9d21606d
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100885648

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 9 9

Akademický článek

Reverse-Recovery Analysis of Parallel-Connected pin Diodes Using a Physics-Based Device Model.

Autor: Horiguchi, Takeshi¹, Sugimoto, Takayuki², Tominaga, Shinji², Urushibata, Hiroaki², Fujita, Hideaki², Akagi, Hirofumi², Kinouchi, Shin‐Ichi¹, Oi, Takeshi¹

Publikováno v: Electronics & Communications in Japan. Apr2014, Vol. 97 Issue 4, p80-89. 10p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Vybrat výsledek číslo 10 10

双方向絶縁形DC-DCコンバータにおけるSiC-MOSFETのソフトスイッチング特性解析

Autor: Matsuo, Tsubasa, Konno, Kentarou, Kuzumoto, Masaki, Hagiwara, Makoto, Akagi, Hirofumi, Mukunoki, Yasushige, Horiguchi, Takeshi

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::312c7b131c9513a1194976201a59211d
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100885657

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

1
2
3
4
5
Další »
[5]

Vyhledávací nástroje:

RSS
Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání

Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR

Zdroje

Pouze tištěné dokumenty

Zahrnout EIZ

26 Akademické články
5 Konferenční materiály
1 Časopisy

19 ieee
6 ieee-inst electrical electronics engineers inc
4 wiley-blackwell
2 電気学会
1 baishideng publishing group
1 秋田大学医学部保健学科

12 ieee transactions on industry applications
7 ieee transactions on power electronics
4 ieee transactions on electron devices
3 electronics & communications in japan
1 2012 ieee 13th workshop on control & modeling for power electronics (compel)
1 2014 ieee applied power electronics conference & exposition - apec 2014
1 2014 international power electronics conference (ipec-hiroshima 2014 - ecce asia)
1 2015 european conference on circuit theory & design (ecctd)
1 conference record - ias annual meeting (ieee industry applications society)
1 electronics and communications in japan
1 world journal of hepatology
1 電気学会研究会資料
1 電気学会論文誌d

13 OpenAIRE
10 Complementary Index
7 Science Citation Index Expanded
6 Business Source Ultimate
6 Academic Search Ultimate
1 MEDLINE
1 Supplemental Index
1 Scopus®

Od:

do:

Možnosti vyhledávání

Tematická mapa
Historie vyhledávání
Pokročilé vyhledávání

Objevte více

Abecední procházení

Hledáte pomoc?

Tipy pro vyhledávání

načítá se......