Zobrazeno 1 - 10
of 1 215
pro vyhledávání: '"HENS, S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials 2010 19(2):260-267
Autor:
Macutkevic, J., Seliuta, D., Valusis, G., Banys, J., Hens, S., Borjanovic, V., Kuznetsov, V., Shenderova, O.
Publikováno v:
In Composites Science and Technology 2010 70(16):2298-2303
Autor:
Hens, S. M.1 shens@csus.edu, Ross, A. H.2
Publikováno v:
International Journal of Osteoarchaeology. Sep/Oct2017, Vol. 27 Issue 5, p880-887. 8p.
Autor:
Lauwaert, J., Hens, S., Śpiewak, P., Wauters, D., Poelman, D., Romandic, I., Clauws, P., Vanhellemont, J.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 2006 376:257-261
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 6 February 2001 4(1-3):109-111
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2009, Vol. 1203 Issue 1, p1-13, 13p
Publikováno v:
5th Multinational Congress on Electron Microscopy, Sept. 20-25, 2001, Lecce, Italy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2097::50b698a1a319ea23b2ae5737a4527c14
https://hdl.handle.net/10067/957160151162165141
https://hdl.handle.net/10067/957160151162165141
Publikováno v:
CONFERENCE SERIES-INSTITUTE OF PHYSICS
Materials with low dielectric constant ("low-k'') in combination with Cu metallization are replacing the oxide based dielectrics with Al metallization in future generations of micro-electronic devices. In this work, a carbon doped oxide low-k dielect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2097::154d64809265f1c2db02e32b78d132b7
https://hdl.handle.net/10067/1034320151162165141
https://hdl.handle.net/10067/1034320151162165141