Zobrazeno 1 - 10
of 188
pro vyhledávání: '"HANAJIRI, T."'
Autor:
Sakai, T., Sakai, M., Kobayashi, T., Yasutake, M., Akisato, S., Mikami, R., Suganuma, N., Takahashi, Y., Nakajima, Y., Tokuda, M., Fujii, Y., Hanajiri, T., Nakamura, O.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 1 January 2019 669:288-293
Autor:
Matsunaga, N., Yamashita, K., Kotani, H., Nomura, K., Sasaki, T., Hanajiri, T., Yamada, J., Nakatsuji, S., Anzai, H.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 64, 052405 (2001) (4 pages)
The transverse magnetoresistance of the Bechgaard salt (TMTSF)$_2$PF$_6$ has been measured for various pressures, with the field up to 24 T parallel to the lowest conductivity direction c$^{\ast}$. A quadratic behavior is observed in the magnetic fie
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0105336
Autor:
Matsunaga, N., Briggs, A., Ishikawa, A., Nomura, K., Hanajiri, T., Yamada, J., Nakatsuji, S., Anzai, H.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 62(13), 8611-8614, 2000
The magnetic field dependence of the SDW transition in (TMTSF)$_2$ClO$_4$ for various anion cooling rates has been measured, with the field up to 27T parallel to the lowest conductivity direction $c^{\ast}$. For quenched (TMTSF)$_2$ClO$_4$, the SDW t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0008011
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2004 24(1):92-95
Autor:
Hanajiri, T, Aoto, K, Hoshino, T, Niizato, M, Nakajima, Y, Toyabe, T, Morikawa, T, Sugano, T, Akagi, Y
Publikováno v:
In Computational Materials Science 2004 30(3):235-241
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2004 48(10):1943-1946
Publikováno v:
EPJ Photovoltaics, Vol 3, p 35001 (2012)
Rapid thermal annealing of sputter-deposited ZnO and Al-doped ZnO (AZO) films with and without an amorphous silicon (a-Si) capping layer was investigated using a radio-frequency (rf) argon thermal plasma jet of argon at atmospheric pressure. The resi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c3bd6bfc16e4b58b5a521308ce148ee
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2001 45(12):2077-2081