Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"H.Y.A Chung"'
Autor:
M. Seyboth, H.Y.A. Chung, M. Scherer, M. Drechsler, Markus Kamp, V. Schwegler, A Pelzmann, C. Kirchner
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 230:549-553
In this article, multiple-step rapid thermal annealing (RTA) processes for the activation of Mg doped GaN are compared with conventional single-step RTA processes. The investigated multiple-step processes consist of a low temperature annealing step a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d380971cee20eeb06db037eeec80159
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01302-1
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01302-1
Autor:
Ch. Kirchner, H.Y.A. Chung, C. Wang, K.J.E. Ebeling, Markus Kamp, Michael Heuken, M. Seyboth, R. Beccard, M. Scherer, V. Schwegler
Publikováno v:
physica status solidi (a). 180:257-260
In this paper, Hydride Vapour Phase Epitaxy (HVPE) of GaN layers under reduced pressures is reported. First results show that the HVPE grown GaN layers exhibit excellent electrical, crystallographic and optical quality. By reducing the reactor pressu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e63851ef931305ff5a43ca6e61e8765
https://doi.org/10.1002/1521-396x(200007)180:1<257::aid-pssa257>3.0.co
https://doi.org/10.1002/1521-396x(200007)180:1<257::aid-pssa257>3.0.co
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. :318-322
Epitaxial GaN films have been grown on inert- and active-side GaN bulk substrates using reactive MBE, where ammonia is cracked on the substrate surface. We achieved state-of-the-art optical properties as proved by extremely narrow linewidths in low-t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63fcddcbba08e889a03db83c5cb334a1
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01348-7
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)01348-7
Publikováno v:
Conference Proceedings. 1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.98CH36129).
We report the successful fabrication of the first Gas Source MBE grown InAsP/InGaAsP single and multiquantum well lasers with linearly graded InGaAsP confinement layers. The optical quality of the InAsP/InGaAsP quantum wells (QWs) are investigated by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fe49a6f71ee11f5f1dfabde758e8bfd7
https://doi.org/10.1109/iciprm.1998.712738
https://doi.org/10.1109/iciprm.1998.712738
Publikováno v:
Conference on Lasers and Electro-Optics Europe.
The excellent performance of vertical-cavity surface-emitting lasers (VCSELs) in the wavelength range below 1mm is largely due to the superior properties of the epitaxially grown AlAs-GaAs distributed Bragg reflectors (DBRs). For long wavelength VCSE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bb25d17dbe85b9142c42c52858a609cc
https://doi.org/10.1364/cleo_europe.1996.cfg2
https://doi.org/10.1364/cleo_europe.1996.cfg2
Autor:
H.Y.A. Chung, H Sternschulte, A Pelzmann, M Mayer, Markus Kamp, Othmar Marti, A Thies, Karl Joachim Ebeling
Publikováno v:
MRS Proceedings. 395
We report on the growth of GaN in GSMBE using NH3 as nitrogen source. Special focus will be on the NH3 cracking, where we applied an On Surface Cracking technique (OSC). Using OSC we achieve photoluminescence linewidths as narrow as 5.5meV (5K) and m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8483ce58ee08066d2a9a0d38dbae64f
https://doi.org/10.1557/proc-395-135
https://doi.org/10.1557/proc-395-135
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.