Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"H.W. Meul"'
Autor:
R. Kopl, Reinhard Stengl, D. Hartwig, R. Mahnkopf, R. Weyl, H.W. Meul, I. Kerner, T.F. Meister, J. Weng, R. Schreiter
Publikováno v:
1991 Symposium on VLSI Technology.
A high performance, selfaligned bipolar transistor has been developed by usin the SEG (Selective Epitaxial Growth) technology. Key ? eatures of the SEG-transistor are an extremely shallow, active collector depth in conjunction with a diffused arsenic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c29177cf9109969bd3227e0bd0cb2e17
https://doi.org/10.1109/vlsit.1991.705993
https://doi.org/10.1109/vlsit.1991.705993
Publikováno v:
Electronics Letters. 27:2209
A method of fabricating micrometre-sized field emission diodes is described. The devices use silicon field emitters that have been grown by selective epitaxy into 0.9 μm sized contact holes in a 1 μm thick field oxide. The anode of the device struc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::113c6e14b40b34eb60126b97d11c57fb
https://doi.org/10.1049/el:19911366
https://doi.org/10.1049/el:19911366
Publikováno v:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 42:167-172
The magnetic susceptibility, magnetization, specific heat and electrical resistivity were measured on the new material Tl2Fe6Te6. All the data show a very sharp anomaly revealing a phase transition to ferromagnetism at Tc≈220 K. The presence in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bcc6b1a5035548ec7087f84d2f65fc92
https://doi.org/10.1016/0304-8853(84)90306-8
https://doi.org/10.1016/0304-8853(84)90306-8
Publikováno v:
Applied Surface Science. 39:116-126
Micro-Raman spectroscopy of optical phonons is applied to analyse local stress at microstructured SiSiO2 interfaces. The short penetration length of visible light in silicon and focussing the laser beam allow local measurement in the submicron ran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7b0b1b53bfe941ea3b39af55a4ae04d8
https://doi.org/10.1016/0169-4332(89)90424-8
https://doi.org/10.1016/0169-4332(89)90424-8
Autor:
M. Miura-Mattausch, P. Weger, R. Kopl, H. Kabza, M. Reisch, H.W. Meul, J. Weng, R. Schreiter, H. Klose, D. Hartwig, K. Ehinger, M. Ohnemus, Thomas Meister, L. Treitinger, H. Schaber, I. Kerner
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 10:344-346
A double-poly-Si self-aligning bipolar process employing 1- mu m lithography is developed for very-high-speed circuit applications. Epilayer doping and thickness are optimized for breakdown voltages and good speed-power performance. Shallow base-emit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ec5817ffe5be5b2cd3b156888b00149
https://doi.org/10.1109/55.31751
https://doi.org/10.1109/55.31751
A double poly-Si self-aligning bipolar process employing 1, ?m lithography has been developed for very high speed/low power circuit applications. Shallow base-emitter profiles were obtained by combining low energy boron implantation and rapid thermal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8337da59b241279fa78adba5774c00a
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_168
https://doi.org/10.1007/978-3-642-52314-4_168
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.