Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"H.T. Minden"'
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 27:316-319
Epitaxial aluminum gallium arsenide mixed crystal layers were grown from germanium doped gallium solution. Electron beam probe analysis revealed that the distribution coefficient of aluminum between the solid and the liquid phases is lowered by the p
Autor:
M.I. Grace, H.T. Minden
Publikováno v:
1965 International Electron Devices Meeting.
We have observed microwave oscillations in reverse biased silicon planar epitaxial diodes. The p-i-n structure was not unlike that suggested by Read, but the diodes were operated well beyond breakdown in the manner described by Johnston et al. The os
Autor:
H.T. Minden
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE. 54:1124-1125
Autor:
J.A. Donahue, H.T. Minden
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 8:613-614
Autor:
M.I. Grace, H.T. Minden
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE. 53:1646-1646
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.