Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"H.M. Jao"'
Autor:
H.T. Huang, H.L. Sun, S. Chen, A. Chen, H.M. Jao, D. C. Wilusz, J.Y. Pan, T.H. Hou, S. Ramamurthy, E. Chiao
Publikováno v:
9th International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2001.
This paper characterizes the performance of the Applied Materials 200 mm Radiance/spl trade/ Centura for 0.13 /spl mu/m ultra-shallow junction (USJ) applications. The Radiance spike anneal process is distinguished by fast ramp-up (250/spl deg/C/sec)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2db5944e848e4290fa36c35494403888
https://doi.org/10.1109/rtp.2001.1013773
https://doi.org/10.1109/rtp.2001.1013773
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.