Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"H.M. Barnard"'
Autor:
K. Burkes-Lee, D.L. Vines, L.J. Langston, I. Smilanski, E.A. O'Hair, B. Green, K.B. Desaon, R. Cravey, J. Burkes, J.J. Ewing, W.R. Cravey, M. Giesslemann, D.M. Barrett, A. Burkes, R. Burkes, J. Walkup, E.T. Dickerson, T.L. Simpson, H.M. Barnard
Publikováno v:
Conference Record of the Twenty-Fifth International Power Modulator Symposium, 2002 and 2002 High-Voltage Workshop..
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2cd44eeca69c6ba86f7686db33b5f6de
https://doi.org/10.1109/modsym.2002.1189423
https://doi.org/10.1109/modsym.2002.1189423
Autor:
H.M. Barnard, J.S. Linder
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 3:195-198
The static characteristics of unijunction transistors are exhibited by two surfaces in three-dimensional space. This representation is employed to examine a general formulation of the problem of analysis and design with a device that is characterized
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9647a5fc6be46782ce6e2224457d40b
https://doi.org/10.1109/jssc.1968.1049870
https://doi.org/10.1109/jssc.1968.1049870
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.